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STD10PF06、STD10PF06T4、FQD7P06TF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STD10PF06 STD10PF06T4 FQD7P06TF

描述 P - 通道60V - 0.18欧姆 - 10A TO- 252的STripFET功率MOSFET P - CHANNEL 60V - 0.18 ohm - 10A TO-252 STripFET POWER MOSFETSTMICROELECTRONICS  STD10PF06T4  晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 VTrans MOSFET P-CH 60V 5.4A Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3 3

漏源极电阻 180 mΩ 0.18 Ω 450 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 40 W 40 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60.0 V 60 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 10.0 A 5.40 A

上升时间 40 ns 40 ns 50 ns

下降时间 10 ns 10 ns 25 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -

额定电压(DC) - -60.0 V -60.0 V

额定电流 - -10.0 A -5.40 A

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 4 V -

输入电容(Ciss) - 850pF @25V(Vds) 295pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 40 W -

耗散功率(Max) - 40W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc)

长度 6.6 mm 6.6 mm -

宽度 6.2 mm 6.2 mm -

高度 2.4 mm 2.4 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99