STB16PF06LT4、STD10PF06T4、FQD7P06TF对比区别

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型号 STB16PF06LT4 STD10PF06T4 FQD7P06TF

描述 P沟道60V - 0.11ohm - 16A D2PAK的STripFET MOSFET P-CHANNEL 60V - 0.11ohm - 16A D2PAK STripFET MOSFETSTMICROELECTRONICS  STD10PF06T4  晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 VTrans MOSFET P-CH 60V 5.4A Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -16.0 A -10.0 A -5.40 A

通道数 1 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 165 mΩ 0.18 Ω 450 mΩ

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 70 W 40 W 2.5 W

阈值电压 - 4 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 60 V 60 V -

栅源击穿电压 ±16.0 V ±20.0 V ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) 16.0 A 10.0 A 5.40 A

上升时间 90 ns 40 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 630pF @25V(Vds) 850pF @25V(Vds) 295pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 70 W 40 W -

下降时间 19.5 ns 10 ns 25 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ 65 ℃ -

耗散功率(Max) 70W (Tc) 40W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc)

长度 10.4 mm 6.6 mm -

宽度 9.35 mm 6.2 mm -

高度 4.6 mm 2.4 mm -

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99