SPP18P06PHXKSA1
数据手册.pdfINFINEON SPP18P06PHXKSA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -18.7 A, -60 V, 0.102 ohm, -10 V, -2.7 V
SIPMOS® P 通道 MOSFET
**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能,可能包括增强模式、连续漏极电流(约低至 80A)及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率可用于多种应用,包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。
· 符合 AEC Q101 标准(请参阅数据表)
· 无铅引线电镀,符合 RoHS 标准
得捷:
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3
立创商城:
P沟道 60V 18.7A
欧时:
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPP18P06PHXKSA1, 13.2 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
贸泽:
MOSFET SMALL SIGNAL+P-CH
e络盟:
晶体管, MOSFET, P沟道, -18.7 A, -60 V, 0.102 ohm, -10 V, -2.7 V
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -18.7A; 81.1W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 18.7A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Newark:
# INFINEON SPP18P06PHXKSA1 MOSFET Transistor, P Channel, -18.7 A, -60 V, 0.102 ohm, -10 V, -2.7 V
Win Source:
MOSFET P-CH 60V 18.7A TO220-3 / P-Channel 60 V 18.7A Ta 81.1W Ta Through Hole PG-TO220-3