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IRF9Z34PBF、SPP18P06PHXKSA1、IRF9Z34NPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF9Z34PBF SPP18P06PHXKSA1 IRF9Z34NPBF

描述 VISHAY  IRF9Z34PBF  场效应管, MOSFET, P沟道INFINEON  SPP18P06PHXKSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.7 A, -60 V, 0.102 ohm, -10 V, -2.7 VINTERNATIONAL RECTIFIER  IRF9Z34NPBF  场效应管, P通道, MOSFET, -55V, 19A, TO-220AB 新

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - - -55.0 V

额定电流 - - -19.0 A

漏源极电阻 0.14 Ω 0.102 Ω 0.1 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 88 W 81.1 W 68 W

产品系列 - - IRF9Z34N

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V

漏源击穿电压 - - -55.0 V

连续漏极电流(Ids) -18.0 A 18.7A -19.0 A

上升时间 - 5.8 ns 55.0 ns

输入电容(Ciss) 1100pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds) 620pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 68 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定功率 - 81.1 W -

针脚数 3 3 -

下降时间 - 11 ns -

耗散功率(Max) 88000 mW 81.1 W -

长度 10.41 mm 10.36 mm 10.54 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

宽度 4.7 mm 4.57 mm -

高度 15.49 mm 15.95 mm -

产品生命周期 - Active Active

包装方式 Tube Rail, Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -