锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

SPD18P06PGBTMA1、SPP18P06PHXKSA1、SUD08P06-155L-E3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPD18P06PGBTMA1 SPP18P06PHXKSA1 SUD08P06-155L-E3

描述 INFINEON  SPD18P06PGBTMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 VINFINEON  SPP18P06PHXKSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.7 A, -60 V, 0.102 ohm, -10 V, -2.7 VVISHAY  SUD08P06-155L-E3  晶体管, MOSFET, P沟道, -8.4 A, -60 V, 0.125 ohm, -10 V, -2 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252

额定功率 80 W 81.1 W -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.1 Ω 0.102 Ω 0.125 Ω

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 80 W 81.1 W 25 W

阈值电压 3 V - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -60.0 V

连续漏极电流(Ids) 18.6A 18.7A -8.40 A

上升时间 5.8 ns 5.8 ns 14.0 ns

输入电容(Ciss) 690pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds) -

下降时间 11 ns 11 ns 7 nS

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 80 W 81.1 W -

长度 6.73 mm 10.36 mm 6.73 mm

宽度 6.22 mm 4.57 mm -

高度 2.41 mm 15.95 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-220-3 TO-252

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Rail, Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃