SPP18P06PG、SPP18P06PHXKSA1、SPD18P06PGBTMA1对比区别

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型号 SPP18P06PG SPP18P06PHXKSA1 SPD18P06PGBTMA1

描述 SIPMOS ？功率晶体管特点P沟道增强模式 SIPMOS® Power-Transistor Features P-Channel Enhancement modeINFINEON  SPP18P06PHXKSA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.7 A, -60 V, 0.102 ohm, -10 V, -2.7 VINFINEON  SPD18P06PGBTMA1  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.6 A, -60 V, 0.1 ohm, -10 V, -3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3

额定功率 - 81.1 W 80 W

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.102 Ω 0.1 Ω

极性 - P-Channel P-Channel

耗散功率 81.1 W 81.1 W 80 W

漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - 18.7A 18.6A

上升时间 5.8 ns 5.8 ns 5.8 ns

输入电容(Ciss) - 690pF @25V(Vds) 690pF @25V(Vds)

下降时间 11 ns 11 ns 11 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 81.1 W 80 W

阈值电压 - - 3 V

长度 10 mm 10.36 mm 6.73 mm

宽度 4.4 mm 4.57 mm 6.22 mm

高度 15.65 mm 15.95 mm 2.41 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-252-3

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Rail, Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17