上升/下降时间 20ns, 15ns
输出接口数 2
输出电流 4 A
耗散功率 1140 mW
上升时间 23 ns
下降时间 23 ns
下降时间Max 40 ns
上升时间Max 40 ns
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 1140 mW
电源电压 4.5V ~ 15V
电源电压Max 15 V
电源电压Min 4 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
UCC27323DG4引脚图
UCC27323DG4封装图
UCC27323DG4封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| UCC27323DG4 | TI 德州仪器 | 双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： UCC27323DG4 品牌： TI 德州仪器 封装： Surface 8Pin | 当前型号 | 双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers | 当前型号 |
| 型号： UCC27323D 品牌： 德州仪器 封装： 8SOIC 4V 8Pin | 类似代替 | MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出，且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器，Texas Instruments | UCC27323DG4和UCC27323D的区别 |
| 型号： TC4426EOA 品牌： 微芯 封装： SOIC 4.5V 1.5A 8Pin | 功能相似 | MICROCHIP TC4426EOA 双功率驱动器, 低压侧, 4.5V-18V电源, 1.5A输出, 40ns延迟, SOIC-8 | UCC27323DG4和TC4426EOA的区别 |
| 型号： IR2101STRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL 10V 8Pin | 功能相似 | INFINEON IR2101STRPBF 芯片, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-8 | UCC27323DG4和IR2101STRPBF的区别 |
