UCC27323D、UCC27323DG4、UCC27323DR对比区别

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型号 UCC27323D UCC27323DG4 UCC27323DR

描述 MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas InstrumentsTexas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出，且提供各种配置和封装类型。### MOSFET & IGBT 驱动器，Texas Instruments双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 4.00V (min) - -

上升/下降时间 20ns, 15ns 20ns, 15ns 20ns, 15ns

输出接口数 2 2 2

耗散功率 1.14 W 1140 mW 1140 mW

上升时间 40 ns 23 ns 40 ns

输出电流(Max) 4.5 A - -

下降时间 40 ns 23 ns 40 ns

下降时间(Max) 40 ns 40 ns 40 ns

上升时间(Max) 40 ns 40 ns 40 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1140 mW 1140 mW 1140 mW

电源电压 4.5V ~ 15V 4.5V ~ 15V 4.5V ~ 15V

电源电压(Max) 15 V 15 V -

电源电压(Min) 4 V 4 V -

输出电流 - 4 A 4 A

输出电压 - - 300 mV

长度 4.9 mm - -

宽度 3.91 mm - -

高度 1.58 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99