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IR2101STRPBF、UCC27323DG4、IR2101SPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR2101STRPBF UCC27323DG4 IR2101SPBF

描述 INFINEON  IR2101STRPBF  芯片, IGBT/MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 360mA输出, 150ns延迟, SOIC-8双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET DriversINTERNATIONAL RECTIFIER  IR2101SPBF  芯片, 场效应管, MOSFET驱动器, 高/低压侧, SOIC-8 新

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) TI (德州仪器) International Rectifier (国际整流器)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 10.0V (min) - 10.0V (min)

工作电压 10V ~ 20V - 10V ~ 20V

输出接口数 2 2 2

输出电压 10V ~ 20V - ≥10.0 V

针脚数 8 - 8

耗散功率 0.625 W 1140 mW 625 mW

产品系列 - - IR2101

上升时间 170 ns 23 ns 170ns (Max)

下降时间 90 ns 23 ns 90ns (Max)

下降时间(Max) 90 ns 40 ns 90 ns

上升时间(Max) 170 ns 40 ns 170 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 1140 mW 625 mW

电源电压 10V ~ 20V 4.5V ~ 15V 10V ~ 20V

电源电压(Max) 20 V 15 V 20 V

电源电压(Min) 10 V 4 V 10 V

上升/下降时间 100ns, 50ns 20ns, 15ns -

输出电流 210 mA 4 A -

通道数 2 - -

静态电流 270 µA - -

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4 mm - 4 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -