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TC58DVM82A1FTI0

Toshiba 东芝 电子元器件分类
TC58DVM82A1FTI0中文资料参数规格
封装参数

封装 TSOP1

外形尺寸

封装 TSOP1

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TC58DVM82A1FTI0引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
TC58DVM82A1FTI0 Toshiba 东芝 IC 32M X 8 EEPROM 3V, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48, Programmable ROM 搜索库存
替代型号TC58DVM82A1FTI0
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TC58DVM82A1FTI0

品牌: Toshiba 东芝

封装:

当前型号

IC 32M X 8 EEPROM 3V, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48, Programmable ROM

当前型号

型号: HY27US08561A-TPCB

品牌: 海力士

封装: TSOP1

功能相似

NAND Flash 3.3V 265Mbit 32M x 8Bit 12000ns 48Pin TSOP-I

TC58DVM82A1FTI0和HY27US08561A-TPCB的区别

型号: NAND256R3A2CN6E

品牌: 意法半导体

封装:

功能相似

128兆, 256兆, 512兆, 1千兆( X8 / X16 ), 528字节/字264页, 1.8V / 3V , NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit x8/x16 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

TC58DVM82A1FTI0和NAND256R3A2CN6E的区别

型号: NAND256W3A2BN6E

品牌: Numonyx

封装: TSOP1 32000000B 3V 48Pin

功能相似

Flash, 32MX8, 12000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48

TC58DVM82A1FTI0和NAND256W3A2BN6E的区别