NAND256W3A2BN6E、TC58DVM82A1FTI0、NAND256W3A2BNXE对比区别

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型号 NAND256W3A2BN6E TC58DVM82A1FTI0 NAND256W3A2BNXE

描述 Flash, 32MX8, 12000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48IC 32M X 8 EEPROM 3V, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48, Programmable ROMSLC NAND Flash Parallel 3V/3.3V 256M-bit 32M x 8 12us 48Pin TSOP Tray

数据手册 ---

制造商 Numonyx Toshiba (东芝) Micron (镁光)

分类 Flash芯片Flash芯片

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 48 - 48

封装 TSOP1 TSOP1 TFSOP-48

额定电压(DC) - - 3.30 V

存取时间 - - 50 ns

存取时间(Max) - - 12000 ns

工作温度(Max) - - 85 ℃

工作温度(Min) - - -40 ℃

电源电压 - - 2.7V ~ 3.6V

电源电压(DC) 3.00 V - -

内存容量 32000000 B - -

高度 - - 1 mm

封装 TSOP1 TSOP1 TFSOP-48

工作温度 - - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅