NAND256R3A2CN6E、TC58DVM82A1FTI0、NAND256W3A0AN1E对比区别

高亮显示差异参数

型号 NAND256R3A2CN6E TC58DVM82A1FTI0 NAND256W3A0AN1E

描述 128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash MemoriesIC 32M X 8 EEPROM 3V, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48, Programmable ROM128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体)

分类

封装 TSOP1 TSOP1 TSOP1

封装 TSOP1 TSOP1 TSOP1

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -