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TIP116
Fairchild 飞兆/仙童 分立器件

整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors

Bipolar BJT Transistor PNP - Darlington 80V 2A 25MHz 50W Through Hole TO-220


得捷:
TRANS PNP DARL 80V 2A TO220-3


TIP116中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -80.0 V

额定电流 -2.00 A

极性 Dual P-Channel

耗散功率 2000 mW

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 1000 @1A, 4V

额定功率Max 2 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 9.2 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

TIP116引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
TIP116 Fairchild 飞兆/仙童 整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors 搜索库存
替代型号TIP116
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TIP116

品牌: Fairchild 飞兆/仙童

封装: TO-220 Dual P-Channel -80V -2A 2000mW

当前型号

整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors

当前型号

型号: TIP116G

品牌: 安森美

封装: TO-220-3 PNP -80V -2A 2000mW

功能相似

塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

TIP116和TIP116G的区别

型号: TIP116-BP

品牌: 美微科

封装: TO-220 PNP -80V -2A 2000mW

功能相似

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