额定电压DC -80.0 V
额定电流 -2.00 A
极性 Dual P-Channel
耗散功率 2000 mW
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 1000 @1A, 4V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 2000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
高度 9.2 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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TIP116 | Fairchild 飞兆/仙童 | 整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: TIP116 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: TO-220 Dual P-Channel -80V -2A 2000mW | 当前型号 | 整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors | 当前型号 | |
型号: TIP116G 品牌: 安森美 封装: TO-220-3 PNP -80V -2A 2000mW | 功能相似 | 塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors | TIP116和TIP116G的区别 | |
型号: TIP116-BP 品牌: 美微科 封装: TO-220 PNP -80V -2A 2000mW | 功能相似 | 双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 2.0A 80V | TIP116和TIP116-BP的区别 |