TIP116、TIP116G、TIP116-BP对比区别
描述 整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2.0A 80V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Micro Commercial Components (美微科)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V
额定电流 -2.00 A -2.00 A -2.00 A
极性 Dual P-Channel PNP PNP
耗散功率 2000 mW 50 W 2000 mW
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V
集电极最大允许电流 - 2A 2A
最小电流放大倍数(hFE) 1000 @1A, 4V 1000 @1A, 4V 1000 @1A, 4V
额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 2000 mW
直流电流增益(hFE) - 1000 -
长度 - - 10.67 mm
宽度 - - 4.82 mm
高度 9.2 mm - 9.02 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Bulk Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -