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TIP116、TIP116-BP、TIP116G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TIP116 TIP116-BP TIP116G

描述 整体结构与内置的基线发射器分流电阻器 Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 2.0A 80V塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Micro Commercial Components (美微科) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) -80.0 V -80.0 V -80.0 V

额定电流 -2.00 A -2.00 A -2.00 A

极性 Dual P-Channel PNP PNP

耗散功率 2000 mW 2000 mW 50 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 1000 @1A, 4V 1000 @1A, 4V 1000 @1A, 4V

额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 2000 mW

集电极最大允许电流 - 2A 2A

直流电流增益(hFE) - - 1000

高度 9.2 mm 9.02 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 4.82 mm -

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99