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TLV2381ID

TLV2381ID

TI(德州仪器) 主动器件

BiMOS/BiCMOS 运算放大器,TLV/LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments

低电压 BiMOS/BiCMOS ,TLV/LMV 系列


得捷:
IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
TLV2381ID


德州仪器TI:
Single, 16-V, 160-kHz, RRIO operational amplifier


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 TLV2381ID 精确, 160kHz增益带宽积, 3 → 15 V单电源电压, 8引脚


贸泽:
Operational Amplifiers - Op Amps 10-uA/Ch 160kHz RRIO Op Amp


艾睿:
Op Amp Single Low Power Amplifier R-R I/O ±8V/16V 8-Pin SOIC Tube


安富利:
OP Amp Single GP R-R I/O ±8V/16V 8-Pin SOIC Tube


TME:
Operational amplifier; 160kHz; 2.7÷16V; Channels:1; SO8


Verical:
Op Amp Single Low Power Amplifier R-R I/O ±8V/16V 8-Pin SOIC Tube


Win Source:
IC OPAMP GP 160KHZ RRO 8SOIC


TLV2381ID中文资料参数规格
技术参数

工作电压 2.7V ~ 16V

输出电流 0.4mA @2.7V

供电电流 7 µA

电路数 1

通道数 1

耗散功率 710 mW

共模抑制比 58 dB

输入补偿漂移 1.10 µV/K

带宽 160 kHz

转换速率 60.0 mV/μs

增益频宽积 160 kHz

输入补偿电压 500 µV

输入偏置电流 1 pA

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 160 kHz

耗散功率Max 710 mW

共模抑制比Min 58 dB

电源电压Max 16 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.58 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

TLV2381ID引脚图与封装图
TLV2381ID封装图

TLV2381ID封装图

TLV2381ID封装焊盘图

TLV2381ID封装焊盘图

在线购买TLV2381ID
型号 制造商 描述 购买
TLV2381ID TI 德州仪器 BiMOS/BiCMOS 运算放大器,TLV/LMV 系列 ### 运算放大器,Texas Instruments 搜索库存
替代型号TLV2381ID
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TLV2381ID

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC 160kHz 1Channel 8Pin

当前型号

BiMOS/BiCMOS 运算放大器,TLV/LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments

当前型号

型号: TLV2381IDRG4

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 160kHz 1Channel 8Pin

完全替代

10uA/Channel, 160kHz, RRIO Op Amp 8-SOIC -40℃ to 125℃

TLV2381ID和TLV2381IDRG4的区别

型号: TLV2381IDR

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 160kHz 1Channel 8Pin

类似代替

系列微功耗轨至轨输入和输出运算放大器 FAMILY OF MICROPOWER RAIL-TO-RAIL INPUT AND OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS

TLV2381ID和TLV2381IDR的区别

型号: TLV2381IDG4

品牌: 德州仪器

封装: SOIC 160kHz 1Channel 8Pin

类似代替

10uA/Channel, 160kHz, IO Op Amp 8-SOIC -40℃ to 125℃

TLV2381ID和TLV2381IDG4的区别