制造商型号: | TSM60NB099CZ C0G |
制造商: | Taiwan Semiconductor (台湾集成电路制造) |
产品类别: | 晶体管-FET,MOSFET-单个 |
商品描述: | MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO220 |
供货: | 货期 工作日(7-10天) |
渠道: | digikey |
服务: | 锐单发货及售后,顺丰快递,在线客服 |
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Taiwan Semiconductor(台湾集成电路制造) TSM60NB099CZ C0G
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TSM60NB099CZ C0G 中文资料
数据手册PDF
TSM60NB099CZ C0G 规格参数
关键信息
制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 38 A
漏源电阻 86 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 62 nC
耗散功率 298 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 25 ns
上升时间 24 ns
晶体管类型 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 87 ns
典型接通延迟时间 18 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM60NB099CZ
TSM60NB099CZ C0G 同类别型号
库存: 642
价格(含增值税)
数量 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | 76.607347 | 76.61 |
10 | 69.181376 | 691.81 |
25 | 65.966339 | 1649.16 |
100 | 54.702588 | 5470.26 |
250 | 51.48508 | 12871.27 |
500 | 48.267323 | 24133.66 |
1000 | 43.440566 | 43440.57 |
2500 | 41.831566 | 104578.92 |
5000 | 39.579185 | 197895.93 |
品牌其他型号
TSM60NB099CZ C0G品牌厂家:Taiwan Semiconductor
,所属分类: 晶体管-FET,MOSFET-单个
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