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TLV2381ID、TLV2381IDR、TLV2381IDG4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2381ID TLV2381IDR TLV2381IDG4

描述 BiMOS/BiCMOS 运算放大器,TLV/LMV 系列### 运算放大器,Texas Instruments系列微功耗轨至轨输入和输出运算放大器 FAMILY OF MICROPOWER RAIL-TO-RAIL INPUT AND OUTPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS10uA/Channel, 160kHz, IO Op Amp 8-SOIC -40℃ to 125℃

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

输出电流 0.4mA @2.7V 0.4mA @2.7V -

供电电流 7 µA 7 µA 7 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

耗散功率 710 mW 0.71 W 0.71 W

共模抑制比 58 dB 58 dB 58 dB

输入补偿漂移 1.10 µV/K 1.10 µV/K 1.10 µV/K

带宽 160 kHz 160 kHz 160 kHz

转换速率 60.0 mV/μs 60.0 mV/μs 60.0 mV/μs

增益频宽积 160 kHz 160 kHz 160 kHz

输入补偿电压 500 µV 500 µV 500 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 40 ℃

增益带宽 160 kHz 0.16 MHz -

耗散功率(Max) 710 mW 710 mW -

共模抑制比(Min) 58 dB 58 dB -

电源电压(Max) 16 V - 16 V

电源电压(Min) 2.7 V - 2.7 V

工作电压 2.7V ~ 16V - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.91 mm - 3.91 mm

高度 1.58 mm - 1.58 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free