输出电流 1 mA
供电电流 100 µA
电路数 2
通道数 2
耗散功率 0.725 W
共模抑制比 70 dB
输入补偿漂移 2.00 µV/K
带宽 52.0 kHz
转换速率 20.0 mV/μs
增益频宽积 52 kHz
输入补偿电压 300 µV
输入偏置电流 1 pA
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
增益带宽 52 kHz
耗散功率Max 725 mW
共模抑制比Min 70 dB
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TLV2422ID封装图
TLV2422ID封装焊盘图
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| TLV2422ID | TI 德州仪器 | 高级LinCMOSE轨到轨输出，宽输入电压微功耗双运算放大器 Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE MICROPOWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS | 搜索库存 |
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TLV2422ID 品牌： TI 德州仪器 封装： SOIC 8Pin 20mV/us 2Channel | 当前型号 | 高级LinCMOSE轨到轨输出，宽输入电压微功耗双运算放大器 Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE MICROPOWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS | 当前型号 |
| 型号： TLV2422CD 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 8Pin 20mV/us 2Channel | 类似代替 | LINCMOS满量程输出,微功耗双路运放 | TLV2422ID和TLV2422CD的区别 |
| 型号： TLV2422AID 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 5.3MHz 2Channel 8Pin | 类似代替 | 高级LinCMOSE轨到轨输出，宽输入电压微功耗双运算放大器 Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE MICROPOWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS | TLV2422ID和TLV2422AID的区别 |
| 型号： TLV2422AQDR 品牌： 德州仪器 封装： SOIC 8Pin 20mV/us 2Channel | 类似代替 | OP Amp Dual GP R-R O/P ±5V/10V 8Pin SOIC T/R | TLV2422ID和TLV2422AQDR的区别 |
