TLV2422AQDR、TLV2422ID、TLV2422AID对比区别
型号 TLV2422AQDR TLV2422ID TLV2422AID
描述 OP Amp Dual GP R-R O/P ±5V/10V 8Pin SOIC T/R高级LinCMOSE轨到轨输出，宽输入电压微功耗双运算放大器 Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE MICROPOWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS高级LinCMOSE轨到轨输出，宽输入电压微功耗双运算放大器 Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE MICROPOWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
输出电流 - 1 mA -
供电电流 100 µA 100 µA 100 µA
电路数 2 2 2
通道数 2 2 2
耗散功率 - 0.725 W 725 mW
共模抑制比 - 70 dB 70 dB
输入补偿漂移 1.80 µV/K 2.00 µV/K 1.80 µV/K
带宽 52.0 kHz 52.0 kHz 52.0 kHz
转换速率 20.0 mV/μs 20.0 mV/μs 20.0 mV/μs
增益频宽积 52 kHz 52 kHz 52 kHz
输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV
输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA
工作温度(Max) - 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃
增益带宽 52 kHz 52 kHz 0.052 MHz
耗散功率(Max) - 725 mW 725 mW
共模抑制比(Min) - 70 dB 70 dB
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - - 4.9 mm
宽度 - - 3.91 mm
高度 - - 1.58 mm
工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free