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TLV2422CD、TLV2422ID、TS1852IST对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2422CD TLV2422ID TS1852IST

描述 LINCMOS满量程输出,微功耗双路运放高级LinCMOSE轨到轨输出,宽输入电压微功耗双运算放大器 Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE MICROPOWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERSTS185x 系列 6 V 630 kHz 轨对轨 低功耗 运算放大器 - MSOIC-8

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 Mini-SO-8

输出电流 ≤50 mA 1 mA 48 mA

供电电流 100 µA 100 µA 162 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 725 mW 0.725 W -

共模抑制比 70 dB 70 dB 55 dB

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K -

带宽 52.0 kHz 52.0 kHz -

转换速率 20.0 mV/μs 20.0 mV/μs 180 mV/μs

增益频宽积 0.052 MHz 52 kHz 0.656 MHz

输入补偿电压 300 µV 300 µV 1 mV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 16 nA

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 0.052 MHz 52 kHz 0.656 MHz

耗散功率(Max) 725 mW 725 mW -

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 65 dB

电源电压 - - 1.8V ~ 6V

电源电压(Max) - - 6 V

电源电压(Min) - - 1.8 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 Mini-SO-8

长度 4.9 mm - 3 mm

宽度 3.91 mm - 3 mm

高度 1.58 mm - 0.86 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99