极性 N-Channel
耗散功率 3.75W Ta, 208.3W Tc
漏源极电压Vds 75 V
输入电容Ciss 4250pF @30VVds
耗散功率Max 3.75W Ta, 208.3W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SUM110N08-07P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 75V 110A D2PAK | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SUM110N08-07P-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-263 N-Channel | 当前型号 | MOSFET N-CH 75V 110A D2PAK | 当前型号 | |
型号: STP55NF06 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | SUM110N08-07P-E3和STP55NF06的区别 | |
型号: STP80NF10 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 100V 80A 15mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | SUM110N08-07P-E3和STP80NF10的区别 | |
型号: STW12NK90Z 品牌: 意法半导体 封装: TO-247 N-Channel 900V 11A 880mΩ | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STW12NK90Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 V | SUM110N08-07P-E3和STW12NK90Z的区别 |