STP55NF06、SUM110N08-07P-E3、FQP50N06L对比区别
型号 STP55NF06 SUM110N08-07P-E3 FQP50N06L
描述 MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsMOSFET N-CH 75V 110A D2PAKQFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3
额定电压(DC) 60.0 V - 60.0 V
额定电流 50.0 A - 52.4 A
通道数 1 - 1
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.015 Ω - 0.017 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 30 W 3.75W (Ta), 208.3W (Tc) 121 W
阈值电压 3 V - 2.5 V
输入电容 - - 1.25 nF
栅电荷 - - 24.5 nC
漏源极电压(Vds) 60 V 75 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V - 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 50.0 A - 52.0 A
上升时间 50 ns - 380 ns
输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 4250pF @30V(Vds) 1630pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 110 W - 121 W
下降时间 15 ns - 145 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 110W (Tc) 3.75W (Ta), 208.3W (Tc) 121 W
额定功率 110 W - -
长度 10.4 mm 10.67 mm 10.1 mm
宽度 4.6 mm 9.65 mm 4.7 mm
高度 9.15 mm 4.83 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99
香港进出口证 - - NLR