STP80NF10、SUM110N08-07P-E3、FDP3652对比区别
型号 STP80NF10 SUM110N08-07P-E3 FDP3652
描述 N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsMOSFET N-CH 75V 110A D2PAKPowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Siliconix Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 3.75W (Ta), 208.3W (Tc) 150 W
漏源极电压(Vds) 100 V 75 V 100 V
输入电容(Ciss) 5500pF @25V(Vds) 4250pF @30V(Vds) 2880pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 300W (Tc) 3.75W (Ta), 208.3W (Tc) 150W (Tc)
额定电压(DC) 100 V - 100 V
额定电流 80.0 A - 61.0 A
通道数 1 - 1
漏源极电阻 0.012 Ω - 0.014 Ω
阈值电压 3 V - 4 V
输入电容 5500 pF - 2.88 nF
栅电荷 - - 41.0 nC
漏源击穿电压 100 V - 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 80.0 A - 61.0 A
上升时间 80 ns - 85 ns
额定功率(Max) 300 W - 150 W
下降时间 60 ns - 45 ns
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
额定功率 300 W - -
针脚数 3 - -
长度 10.4 mm 10.67 mm 10.67 mm
宽度 4.6 mm 9.65 mm 4.83 mm
高度 9.15 mm 4.83 mm 9.4 mm
封装 TO-220-3 TO-263-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 - EAR99