STW12NK90Z、SUM110N08-07P-E3、IXFH12N90对比区别

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型号 STW12NK90Z SUM110N08-07P-E3 IXFH12N90

描述 STMICROELECTRONICS  STW12NK90Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 VMOSFET N-CH 75V 110A D2PAKTO-247AD N-CH 900V 12A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Vishay Siliconix IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-263-3 TO-247-3

额定电压(DC) 900 V - 900 V

额定电流 11.0 A - 12.0 A

额定功率 230 W - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.72 Ω - 1.1 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 230 W 3.75W (Ta), 208.3W (Tc) 300 W

阈值电压 3.75 V - -

漏源极电压(Vds) 900 V 75 V 900 V

漏源击穿电压 900 V - 900 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 11.0 A - 12.0 A

上升时间 20 ns - 12 ns

输入电容(Ciss) 3500pF @25V(Vds) 4250pF @30V(Vds) 4200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 230 W - 300 W

下降时间 55 ns - 18 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

耗散功率(Max) 230W (Tc) 3.75W (Ta), 208.3W (Tc) 300W (Tc)

通道数 - - 1

长度 15.75 mm 10.67 mm 16.26 mm

宽度 5.15 mm 9.65 mm 5.3 mm

高度 20.15 mm 4.83 mm 21.46 mm

封装 TO-247-3 TO-263-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 - -