SQM110P04-04L-GE3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SQM110P04-04L-GE3中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 375W Tc
漏源极电压Vds 40 V
输入电容Ciss 13980pF @20VVds
耗散功率Max 375W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SQM110P04-04L-GE3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SQM110P04-04L-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SQM110P04-04L-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 120A TO263 | 搜索库存 |
替代型号SQM110P04-04L-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SQM110P04-04L-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： D2PAK | 当前型号 | MOSFET P-CH 40V 120A TO263 | 当前型号 |
| 型号： SQM120P06-07L_GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： D2PAK | 类似代替 | MOSFET P-CH 60V 120A TO263 | SQM110P04-04L-GE3和SQM120P06-07L_GE3的区别 |
| 型号： SQM120P04-04L_GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-263-3 | 类似代替 | MOSFET P-CH 40V 120A TO-263 | SQM110P04-04L-GE3和SQM120P04-04L_GE3的区别 |
| 型号： SQM40N15-38-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-263 N-Channel | 功能相似 | MOSFET,N CH,W DIODE,150V,40A,TO-263 | SQM110P04-04L-GE3和SQM40N15-38-GE3的区别 |