SQM110P04-04L-GE3、SQM120P04-04L_GE3、SQM40N15-38_GE3对比区别

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型号 SQM110P04-04L-GE3 SQM120P04-04L_GE3 SQM40N15-38_GE3

描述 MOSFET P-CH 40V 120A TO263MOSFET P-CH 40V 120A TO-263MOSFET N-CH 150V 40A TO263

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

极性 - - N-Channel

耗散功率 375W (Tc) 375 W 166W (Tc)

漏源极电压(Vds) 40 V - 150 V

输入电容(Ciss) 13980pF @20V(Vds) 13980pF @20V(Vds) 3390pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 375W (Tc) 375W (Tc) 166W (Tc)

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 0.0034 Ω -

阈值电压 - 2.5 V -

漏源击穿电压 - 40 V -

上升时间 - 15 ns -

下降时间 - 45 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - 55 ℃ -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅