SQM110P04-04L-GE3、SQM40N15-38-GE3、SQM120P04-04L_GE3对比区别

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型号 SQM110P04-04L-GE3 SQM40N15-38-GE3 SQM120P04-04L_GE3

描述 MOSFET P-CH 40V 120A TO263MOSFET,N CH,W DIODE,150V,40A,TO-263MOSFET P-CH 40V 120A TO-263

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - 3 -

耗散功率 375W (Tc) 166 W 375 W

漏源极电压(Vds) 40 V 150 V -

输入电容(Ciss) 13980pF @20V(Vds) - 13980pF @20V(Vds)

耗散功率(Max) 375W (Tc) - 375W (Tc)

漏源极电阻 - 0.027 Ω 0.0034 Ω

极性 - N-Channel -

阈值电压 - 3 V 2.5 V

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 40 V

上升时间 - - 15 ns

下降时间 - - 45 ns

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 9.65 mm -

高度 - 4.83 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅