SQM110P04-04L-GE3、SQM120P06-07L_GE3、SQM120P04-04L_GE3对比区别

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型号 SQM110P04-04L-GE3 SQM120P06-07L_GE3 SQM120P04-04L_GE3

描述 MOSFET P-CH 40V 120A TO263MOSFET P-CH 60V 120A TO263MOSFET P-CH 40V 120A TO-263

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 0.0034 Ω

耗散功率 375W (Tc) 375W (Tc) 375 W

阈值电压 - - 2.5 V

漏源击穿电压 - - 40 V

上升时间 - - 15 ns

输入电容(Ciss) 13980pF @20V(Vds) 14280pF @25V(Vds) 13980pF @20V(Vds)

下降时间 - - 45 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

耗散功率(Max) 375W (Tc) 375W (Tc) 375W (Tc)

漏源极电压(Vds) 40 V - -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅