漏源极电阻 75 mΩ
耗散功率 1.1 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 20 V
热阻 90℃/W RθJA
额定功率Max 1.1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 1206
长度 3.1 mm
高度 1.1 mm
封装 1206
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2014/06/16
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI5513DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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