554AG000668DGR、SI5513DC-T1-E3、SI5513CDC-T1-GE3对比区别

高亮显示差异参数

型号 554AG000668DGR SI5513DC-T1-E3 SI5513CDC-T1-GE3

描述 XTAL OSC VCXO 3.3V 8SMDMOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/2.4A

数据手册 ---

制造商 Silicon Labs (芯科) Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 SMD-8 1206 SMD-8

引脚数 - 8 -

漏源极电压(Vds) - 20 V 20 V

输入电容(Ciss) - - 285pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 1.1 W 3.1 W

漏源极电阻 - 75 mΩ -

耗散功率 - 1.1 W -

阈值电压 - 1.5 V -

热阻 - 90℃/W (RθJA) -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

频率稳定度 ±20 ppm - -

电源电压 3.3 V - -

封装 SMD-8 1206 SMD-8

长度 - 3.1 mm -

高度 - 1.1 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -