SI5513DC-T1-E3、SI5513DC-T1-GE3、SI5513CDC-T1-GE3对比区别

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型号 SI5513DC-T1-E3 SI5513DC-T1-GE3 SI5513CDC-T1-GE3

描述 MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/2.4A

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 1206 SMD-8 SMD-8

引脚数 8 - -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W 3.1 W

输入电容(Ciss) - - 285pF @10V(Vds)

漏源极电阻 75 mΩ - -

耗散功率 1.1 W - -

阈值电压 1.5 V - -

热阻 90℃/W (RθJA) - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 1206 SMD-8 SMD-8

长度 3.1 mm - -

高度 1.1 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2014/06/16 - -