SI5513CDC-T1-GE3、SI5513DC-T1-E3、SI5513DC-T1-GE3对比区别

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型号 SI5513CDC-T1-GE3 SI5513DC-T1-E3 SI5513DC-T1-GE3

描述 Trans MOSFET N/P-CH 20V 4A/2.4AMOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SMD-8 1206 SMD-8

引脚数 - 8 -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

额定功率(Max) 3.1 W 1.1 W 1.1 W

输入电容(Ciss) 285pF @10V(Vds) - -

漏源极电阻 - 75 mΩ -

耗散功率 - 1.1 W -

阈值电压 - 1.5 V -

热阻 - 90℃/W (RθJA) -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 SMD-8 1206 SMD-8

长度 - 3.1 mm -

高度 - 1.1 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2014/06/16 -