SI4973DY-T1-E3
数据手册.pdf
Vishay Siliconix
分立器件
SI4973DY-T1-E3中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.029 Ω
极性 Dual P-Channel
耗散功率 1.1 W
漏源极电压Vds 30 V
栅源击穿电压 ±25.0 V
连续漏极电流Ids 7.60 A
热阻 85℃/W RθJA
额定功率Max 1.1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SO-8
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.55 mm
封装 SO-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
SI4973DY-T1-E3引脚图与封装图
暂无图片
在线购买SI4973DY-T1-E3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4973DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL P-CH 30V 5.8A 8-SOIC | 搜索库存 |
替代型号SI4973DY-T1-E3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： SI4973DY-T1-E3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC Dual P-Channel 30V 7.6A 23mΩ | 当前型号 | MOSFET DUAL P-CH 30V 5.8A 8-SOIC | 当前型号 |
| 型号： SI4923DY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC | 类似代替 | MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC | SI4973DY-T1-E3和SI4923DY-T1-GE3的区别 |
| 型号： SI4973DY-T1-GE3 品牌： Vishay Siliconix 封装： 8-SOIC | 类似代替 | MOSFET 30V 7.6A 2W 23mohm @ 10V | SI4973DY-T1-E3和SI4973DY-T1-GE3的区别 |
| 型号： ZXMP3A17DN8TA 品牌： 美台 封装： SOP-8 P-Channel 30V 4.4A 110mΩ | 功能相似 | ZXMP3A17 系列 30 V 0.07 Ohm 双 P 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8 | SI4973DY-T1-E3和ZXMP3A17DN8TA的区别 |