SI4973DY-T1-E3、ZXMP3A17DN8TA、SI4973DY-T1-GE3对比区别

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型号 SI4973DY-T1-E3 ZXMP3A17DN8TA SI4973DY-T1-GE3

描述 MOSFET DUAL P-CH 30V 5.8A 8-SOICZXMP3A17 系列 30 V 0.07 Ohm 双 P 沟道 增强模式 MOSFET - SOIC-8MOSFET 30V 7.6A 2W 23mohm @ 10V

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Diodes (美台) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 -

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - -30.0 V -

额定电流 - -4.40 A -

漏源极电阻 0.029 Ω 110 mΩ -

极性 Dual P-Channel P-Channel -

耗散功率 1.1 W 2.1 W -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 7.60 A 4.40 A -

上升时间 - 2.87 ns -

输入电容(Ciss) - 630pF @15V(Vds) -

额定功率(Max) 1.1 W 1.8 W 1.1 W

下降时间 - 8.72 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2100 mW -

热阻 85℃/W (RθJA) - -

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 5 mm - 4.9 mm

宽度 3.9 mm - 3.9 mm

高度 1.55 mm - 1.75 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -