SI4973DY-T1-E3、SI4973DY-T1-GE3、SI4953ADY-T1-GE3对比区别

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型号 SI4973DY-T1-E3 SI4973DY-T1-GE3 SI4953ADY-T1-GE3

描述 MOSFET DUAL P-CH 30V 5.8A 8-SOICMOSFET 30V 7.6A 2W 23mohm @ 10VMOSFET 30V 3.9A 2W 53mohm @ 10V

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 8 - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W 1.1 W

漏源极电阻 0.029 Ω - -

极性 Dual P-Channel - P-Channel

耗散功率 1.1 W - -

栅源击穿电压 ±25.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 7.60 A - -4.90 A

热阻 85℃/W (RθJA) - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

长度 5 mm 4.9 mm -

宽度 3.9 mm 3.9 mm -

高度 1.55 mm 1.75 mm -

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free