SI4923DY-T1-GE3、SI4973DY-T1-E3、SI4953ADY-T1-E3对比区别

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型号 SI4923DY-T1-GE3 SI4973DY-T1-E3 SI4953ADY-T1-E3

描述 MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOICMOSFET DUAL P-CH 30V 5.8A 8-SOICMOSFET P-CH DUAL 30V 3.7A 8-SOIC

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

漏源极电阻 - 0.029 Ω 0.09 Ω

极性 - Dual P-Channel Dual P-Channel

耗散功率 - 1.1 W 2.00 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

栅源击穿电压 - ±25.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 7.60 A 4.90 A, -4.90 A

额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W 1.1 W

热阻 - 85℃/W (RθJA) -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

封装 SOIC-8 SO-8 SOIC-8

长度 - 5 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.55 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free