漏源极电压Vds 30 V
额定功率Max 1.1 W
安装方式 Surface Mount
封装 SMD-8
封装 SMD-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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SI5504DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: SI5504DC-T1-GE3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 8-SMD | 当前型号 | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 | 当前型号 | |
型号: SI5504DC-T1-E3 品牌: Vishay Siliconix 封装: 8-SMD N-Channel 30V 2.1A 85mΩ | 完全替代 | MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8 | SI5504DC-T1-GE3和SI5504DC-T1-E3的区别 | |
型号: SI5504DC 品牌: Vishay Siliconix 封装: N-Channel 3.9A to 3.9A 85mΩ | 完全替代 | Complementary 30V D-S MOSFET | SI5504DC-T1-GE3和SI5504DC的区别 | |
型号: SI5504DC-T1 品牌: Vishay Siliconix 封装: N-Channel 3.9A to 3.9A 85mΩ | 完全替代 | Transistor, | SI5504DC-T1-GE3和SI5504DC-T1的区别 |