SI5504DC-T1、SI5504DC-T1-GE3、SI5504DC-T1-E3对比区别

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型号 SI5504DC-T1 SI5504DC-T1-GE3 SI5504DC-T1-E3

描述 Transistor,MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 - SMD-8 SMD-8

引脚数 - - 8

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

额定功率(Max) - 1.1 W 1.1 W

漏源极电阻 85.0 mΩ - 85 mΩ

极性 N-Channel, P-Channel - N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.10 W - 2.1 W

阈值电压 - - 1 V

漏源击穿电压 30.0 V - 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) -3.90 A to 3.90 A - 2.10 A

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 - SMD-8 SMD-8

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/06/16