SI5504DC、SI5504DC-T1-GE3、SI5504DC-T1对比区别

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型号 SI5504DC SI5504DC-T1-GE3 SI5504DC-T1

描述 Complementary 30V (D-S) MOSFETMOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8Transistor,

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 - SMD-8 -

漏源极电压(Vds) - 30 V -

额定功率(Max) - 1.1 W -

漏源极电阻 85.0 mΩ - 85.0 mΩ

极性 N-Channel, P-Channel - N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.10 W - 1.10 W

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) -3.90 A to 3.90 A - -3.90 A to 3.90 A

漏源击穿电压 - - 30.0 V

封装 - SMD-8 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 - RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free -