SI5504DC-T1-E3、SI5504DC-T1-GE3、SI5504BDC-T1-GE3对比区别

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型号 SI5504DC-T1-E3 SI5504DC-T1-GE3 SI5504BDC-T1-GE3

描述 MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 1206-8MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SMD-8 SMD-8 SMD-8

引脚数 8 - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W -

漏源极电阻 85 mΩ - -

极性 N-Channel, P-Channel - -

耗散功率 2.1 W - -

阈值电压 1 V - -

漏源击穿电压 30.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 2.10 A - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

通道数 - - 2

输入电容(Ciss) - - 220pF @15V(Vds)

封装 SMD-8 SMD-8 SMD-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2014/06/16 - -