SPB18P06P

Infineon(英飞凌) 分立器件

SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor

P-Channel 60V 18.7A Ta 81.1W Ta Surface Mount D²PAK TO-263AB

得捷:
MOSFET P-CH 60V 18.7A D2PAK

SPB18P06P中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -18.6 A

通道数 1

极性 P-CH

耗散功率 81.1W Ta

输入电容 860 pF

栅电荷 33.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 18.6 A

输入电容Ciss 860pF @25VVds

额定功率Max 81.1 W

耗散功率Max 81.1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

宽度 9.25 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

SPB18P06P引脚图与封装图

暂无图片

在线购买SPB18P06P

型号	制造商	描述	购买
SPB18P06P	Infineon 英飞凌	SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor	搜索库存

替代型号SPB18P06P

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： SPB18P06P 品牌： Infineon 英飞凌封装： TO-263-3 P-CH 60V 18.6A 860pF	当前型号	SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-Transistor	当前型号
型号： SPB18P06P G 品牌：英飞凌封装： TO-263 P-Channel 60V 18.6A 860pF	类似代替	INFINEON SPB18P06P G 晶体管, MOSFET, P沟道, -18.7 A, -60 V, 0.101 ohm, -10 V, -3 V	SPB18P06P和SPB18P06P G的区别
型号： STD10PF06T4 品牌：意法半导体封装： TO-252 P-Channel 60V 10A 180mΩ	功能相似	STMICROELECTRONICS STD10PF06T4 晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 V	SPB18P06P和STD10PF06T4的区别
型号： SPD08P06P 品牌：英飞凌封装： TO-252 P-CH 60V 8.8A 420pF	功能相似	Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFETInfineon SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准	SPB18P06P和SPD08P06P的区别