SPB18P06P、SPD08P06P、SPB18P06P G对比区别
型号 SPB18P06P SPD08P06P SPB18P06P G
描述 SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorInfineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准INFINEON SPB18P06P G 晶体管, MOSFET, P沟道, -18.7 A, -60 V, 0.101 ohm, -10 V, -3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V
额定电流 -18.6 A -8.80 A -18.6 A
通道数 1 1 1
极性 P-CH P-CH P-Channel
耗散功率 81.1W (Ta) 42W (Tc) 81.1 W
输入电容 860 pF 420 pF 860 pF
栅电荷 33.0 nC 15.0 nC 33.0 nC
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 18.6 A 8.80 A 18.6 A
上升时间 - 46 ns 5.8 ns
输入电容(Ciss) 860pF @25V(Vds) 335pF @25V(Vds) 860pF @25V(Vds)
下降时间 - 14 ns 11 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 81.1W (Ta) 42W (Tc) 81.1W (Ta)
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.101 Ω
阈值电压 - - 4 V
漏源击穿电压 - - 60 V
额定功率(Max) 81.1 W - 81.1 W
长度 - 6.5 mm 10 mm
宽度 9.25 mm 6.22 mm 9.25 mm
高度 - 2.3 mm 4.4 mm
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
ECCN代码 - - EAR99