SPB18P06P、STD10PF06T4、SPB18P06P G对比区别

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型号 SPB18P06P STD10PF06T4 SPB18P06P G

描述 SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorSTMICROELECTRONICS  STD10PF06T4  晶体管, MOSFET, P沟道, -10 A, -60 V, 0.18 ohm, -10 V, -4 VINFINEON  SPB18P06P G  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.7 A, -60 V, 0.101 ohm, -10 V, -3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -18.6 A -10.0 A -18.6 A

通道数 1 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.18 Ω 0.101 Ω

极性 P-CH P-Channel P-Channel

耗散功率 81.1W (Ta) 40 W 81.1 W

阈值电压 - 4 V 4 V

输入电容 860 pF - 860 pF

栅电荷 33.0 nC - 33.0 nC

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 18.6 A 10.0 A 18.6 A

上升时间 - 40 ns 5.8 ns

输入电容(Ciss) 860pF @25V(Vds) 850pF @25V(Vds) 860pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 81.1 W 40 W 81.1 W

下降时间 - 10 ns 11 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - 65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 81.1W (Ta) 40W (Tc) 81.1W (Ta)

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

长度 - 6.6 mm 10 mm

宽度 9.25 mm 6.2 mm 9.25 mm

高度 - 2.4 mm 4.4 mm

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99