SPB18P06P、SPB18P06P G、SPD08P06P对比区别

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型号 SPB18P06P SPB18P06P G SPD08P06P

描述 SIPMOS功率三极管 SIPMOS Power-TransistorINFINEON  SPB18P06P G  晶体管, MOSFET, P沟道, -18.7 A, -60 V, 0.101 ohm, -10 V, -3 VInfineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -18.6 A -18.6 A -8.80 A

通道数 1 1 1

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.101 Ω -

极性 P-CH P-Channel P-CH

耗散功率 81.1W (Ta) 81.1 W 42W (Tc)

阈值电压 - 4 V -

输入电容 860 pF 860 pF 420 pF

栅电荷 33.0 nC 33.0 nC 15.0 nC

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60 V -

连续漏极电流(Ids) 18.6 A 18.6 A 8.80 A

上升时间 - 5.8 ns 46 ns

输入电容(Ciss) 860pF @25V(Vds) 860pF @25V(Vds) 335pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 81.1 W 81.1 W -

下降时间 - 11 ns 14 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 81.1W (Ta) 81.1W (Ta) 42W (Tc)

长度 - 10 mm 6.5 mm

宽度 9.25 mm 9.25 mm 6.22 mm

高度 - 4.4 mm 2.3 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -