STD15NF10T4、STD60NF06T4、STP140NF55对比区别

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型号 STD15NF10T4 STD60NF06T4 STP140NF55

描述 STMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 VN 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsMOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-3

额定电压(DC) 100 V - 55.0 V

额定电流 23.0 A - 80.0 A

通道数 1 - 1

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.065 Ω 0.014 Ω 0.008 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 70 W 110 W 300 W

阈值电压 3 V 4 V 3 V

漏源极电压(Vds) 100 V 60 V 55 V

漏源击穿电压 100 V 60.0 V 55 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 23.0 A 60.0 A 80.0 A

上升时间 45 ns 108 ns 150 ns

输入电容(Ciss) 870pF @25V(Vds) 1810pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 70 W 110 W 300 W

下降时间 17 ns 20 ns 45 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 70W (Tc) 110W (Tc) 300W (Tc)

长度 6.6 mm 6.6 mm 10.4 mm

宽度 6.2 mm 6.2 mm 4.6 mm

高度 2.4 mm 2.4 mm 15.75 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -