NTD3055L104T4G、STD12NF06LT4、RFD14N05LSM对比区别
型号 NTD3055L104T4G STD12NF06LT4 RFD14N05LSM
描述 ON SEMICONDUCTOR NTD3055L104T4G 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.089 ohm, 5 V, 1.6 VSTMICROELECTRONICS STD12NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 VN 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor增强模式场效应晶体管 (FET) 使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种高密度工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 50.0 V
额定电流 12.0 A 12.0 A 14.0 A
通道数 1 - -
针脚数 4 3 3
漏源极电阻 0.089 Ω 0.08 Ω 100 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 48 W 30 W 48 W
阈值电压 1.6 V 3 V 2 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 50 V
漏源击穿电压 60 V 60.0 V 50.0 V
栅源击穿电压 ±15.0 V ±16.0 V ±10.0 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12.0 A 14.0 A
上升时间 104 ns 35 ns 24 ns
输入电容(Ciss) 440pF @25V(Vds) 350pF @25V(Vds) 670pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 1.5 W 30 W 48 W
下降时间 40.5 ns 13 ns 16 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 1.5 W 42.8W (Tc) 48 W
额定功率 - - 14 W
输入电容 - 350 pF 670 pF
栅电荷 - - 40.0 nC
长度 6.73 mm 6.6 mm 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.2 mm 6.22 mm
高度 2.38 mm 2.4 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99