STD12NF06LT4、STD12NF06T4、NTD3055L104对比区别
型号 STD12NF06LT4 STD12NF06T4 NTD3055L104
描述 STMICROELECTRONICS STD12NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS STD12NF06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.08 ohm, 10 V, 3 V60V,12A,逻辑电平N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 12.0 A 12.0 A 25.0 A
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.08 Ω 80 mΩ 104 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 30 W 30 W 48 W
阈值电压 3 V 3 V 2 V
输入电容 350 pF 315 pF 440 pF
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60.0 V 60.0 V 60 V
栅源击穿电压 ±16.0 V ±20.0 V ±15.0 V
连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12.0 A 12.0 A
上升时间 35 ns 18 ns 104 ns
输入电容(Ciss) 350pF @25V(Vds) 315pF @25V(Vds) 440pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 30 W 30 W 1.5 W
下降时间 13 ns 6 ns 40.5 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 42.8W (Tc) 30W (Tc) 1.5 W
通道数 - - 1
栅电荷 - - 20.0 nC
长度 6.6 mm 6.6 mm 6.73 mm
宽度 6.2 mm 6.2 mm 6.22 mm
高度 2.4 mm 2.4 mm 2.38 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -