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STW6N120K3

STW6N120K3

数据手册.pdf

STMICROELECTRONICS  STW6N120K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1.2 kV, 1.95 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO247


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STW6N120K3, 6 A, Vds=1200 V, 3引脚 TO-247封装


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2 kV, 6 A, 1.95 ohm, TO-247, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


富昌:
N-Channel 1200 V 2.4 Ω Flange Mount SuperMESH3™ Power Mosfet - TO-247


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1200V; 6A; 150W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 6A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


儒卓力:
**MOSFET 900V 2,4Ohm 6A TO247 **


力源芯城:
1200V,6A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247


DeviceMart:
MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247


STW6N120K3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 1.95 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 1200 V

连续漏极电流Ids 6A

输入电容Ciss 1050pF @100VVds

额定功率Max 150 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

STW6N120K3引脚图与封装图
STW6N120K3引脚图

STW6N120K3引脚图

STW6N120K3封装图

STW6N120K3封装图

STW6N120K3封装焊盘图

STW6N120K3封装焊盘图

在线购买STW6N120K3
型号 制造商 描述 购买
STW6N120K3 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STW6N120K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1.2 kV, 1.95 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号STW6N120K3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: STW6N120K3

品牌: ST Microelectronics 意法半导体

封装: TO-247 N-Channel 1200V 6A

当前型号

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当前型号

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