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STW13N95K3、STW6N120K3、STW6N95K5对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STW13N95K3 STW6N120K3 STW6N95K5

描述 STMICROELECTRONICS  STW13N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.68 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS  STW6N120K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6 A, 1.2 kV, 1.95 ohm, 10 V, 4 V950V,1Ω,9A,N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.68 Ω 1.95 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 190 W 150 W 90 W

阈值电压 4 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 950 V 1200 V 950 V

连续漏极电流(Ids) 10A 6A -

上升时间 16 ns - 12 ns

输入电容(Ciss) 1620pF @100V(Vds) 1050pF @100V(Vds) 450pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 190 W 150 W 90 W

下降时间 21 ns - 21 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 190W (Tc) 150W (Tc) 90W (Tc)

长度 15.75 mm 15.75 mm -

宽度 5.15 mm 5.15 mm -

高度 20.15 mm 20.15 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -